Главная > Блог > Типы Flash-памяти. Полезный объем флеш-накопителей: каков он? Что такое диск и флеш память

Типы Flash-памяти. Полезный объем флеш-накопителей: каков он? Что такое диск и флеш память

Флэш-память представляет собой тип долговечной памяти для компьютеров, у которой содержимое можно перепрограммировать или удалить электрическим методом. В сравнении с Electrically Erasable Programmable Read Only Memory действия над ней можно выполнять в блоках, которые находятся в разных местах. Флэш-память стоит намного меньше, чем EEPROM, поэтому она и стала доминирующей технологией. В особенности в ситуациях, когда необходимо устойчивое и длительное сохранение данных. Ее применение допускается в самых разнообразных случаях: в цифровых аудиоплеерах, фото- и видеокамерах, мобильных телефонах и смартфонах, где существуют специальные андроид-приложения на карту памяти. Кроме того, используется она и в USB-флешках, традиционно применяемых для сохранения информации и ее передачи между компьютерами. Она получила определенную известность в мире геймеров, где ее часто задействуют в промах для хранения данных по прогрессу игры.

Общее описание

Флэш-память представляет собой такой тип, который способен сохранять информацию на своей плате длительное время, не используя питания. В дополнение можно отметить высочайшую скорость доступа к данным, а также лучшее сопротивление к кинетическому шоку в сравнении с винчестерами. Именно благодаря таким характеристикам она стала настольно популярной для приборов, питающихся от батареек и аккумуляторов. Еще одно неоспоримое преимущество состоит в том, что когда флэш-память сжата в сплошную карту, ее практически невозможно разрушить какими-то стандартными физическими способами, поэтому она выдерживает кипящую воду и высокое давление.

Низкоуровневый доступ к данным

Способ доступа к данным, находящимся во флэш-памяти, сильно отличается от того, что применяется для обычных видов. Низкоуровневый доступ осуществляется посредством драйвера. Обычная RAM сразу же отвечает на призывы чтения информации и ее записи, возвращая результаты таких операций, а устройство флеш-памяти таково, что потребуется время на размышления.

Устройство и принцип работы

На данный момент распространена флэш-память, которая создана на однотранзисторных элементах, имеющих «плавающий» затвор. Благодаря этому удается обеспечить большую плотность хранения данных в сравнении с динамической ОЗУ, для которой требуется пара транзисторов и конденсаторный элемент. На данный момент рынок изобилует разнообразными технологиями построения базовых элементов для такого типа носителей, которые разработаны лидирующими производителями. Отличает их количество слоев, методы записи и стирания информации, а также организация структуры, которая обычно указывается в названии.

На текущий момент существует пара типов микросхем, которые распространены больше всего: NOR и NAND. В обоих подключение запоминающих транзисторов производится к разрядным шинам - параллельно и последовательно соответственно. У первого типа размеры ячеек довольно велики, и имеется возможность для быстрого произвольного доступа, что позволяет выполнять программы прямо из памяти. Второй характеризуется меньшими размерами ячеек, а также быстрым последовательным доступом, что намного удобнее при необходимости построения устройств блочного типа, где будет храниться информация большого объема.

В большинстве портативных устройств твердотельный накопитель использует тип памяти NOR. Однако сейчас все популярнее становятся приспособления с интерфейсом USB. В них применяется память типа NAND. Постепенно она вытесняет первую.

Главная проблема — недолговечность

Первые образцы флешек серийного производства не радовали пользователей большими скоростями. Однако теперь скорость записи и считывания информации находится на таком уровне, что можно просматривать полноформатный фильм либо запускать на компьютере операционную систему. Ряд производителей уже продемонстрировал машины, где винчестер заменен флеш-памятью. Но у этой технологии имеется весьма существенный недостаток, который становится препятствием для замены данным носителем существующих магнитных дисков. Из-за особенностей устройства флеш-памяти она позволяет производить стирание и запись информации ограниченное число циклов, которое является достижимым даже для малых и портативных устройств, не говоря о том, как часто это делается на компьютерах. Если использовать этот тип носителя как твердотельный накопитель на ПК, то очень быстро настанет критическая ситуация.

Связано это с тем, что такой накопитель построен на свойстве полевых транзисторов сохранять в «плавающем» затворе отсутствие или наличие которого в транзисторе рассматривается в качестве логической единицы или ноля в двоичной Запись и стирание данных в NAND-памяти производятся посредством туннелированных электронов методом Фаулера-Нордхейма при участии диэлектрика. Для этого не требуется что позволяет делать ячейки минимальных размеров. Но именно данный процесс приводит к ячеек, так как электрический ток в таком случае заставляет электроны проникать в затвор, преодолевая диэлектрический барьер. Однако гарантированный срок хранения подобной памяти составляет десять лет. Износ микросхемы происходит не из-за чтения информации, а из-за операций по ее стиранию и записи, поскольку чтение не требует изменения структуры ячеек, а только пропускает электрический ток.

Естественно, производители памяти ведут активные работы в направлении увеличения срока службы твердотельных накопителей данного типа: они устремлены к обеспечению равномерности процессов записи/стирания по ячейкам массива, чтобы одни не изнашивались больше других. Для равномерного распределения нагрузки преимущественно используются программные пути. К примеру, для устранения подобного явления применяется технология «выравнивания износа». При этом данные, часто подвергаемые изменениям, перемещаются в адресное пространство флеш-памяти, потому запись осуществляется по разным физическим адресам. Каждый контроллер оснащается собственным алгоритмом выравнивания, поэтому весьма затруднительно сравнивать эффективность тех или иных моделей, так как не разглашаются подробности реализации. Поскольку с каждым годом объемы флешек становятся все больше, необходимо применять все более эффективные алгоритмы работы, позволяющие гарантировать стабильность функционирования устройств.

Устранение проблем

Одним из весьма эффективных путей борьбы с указанным явлением стало резервирование определенного объема памяти, за счет которого обеспечивается равномерность нагрузки и коррекция ошибок посредством особых алгоритмов логической переадресации для подмены физических блоков, возникающих при интенсивной работе с флешкой. А для предотвращения утраты информации ячейки, вышедшие из строя, блокируются или заменяются на резервные. Такое программное распределение блоков дает возможность обеспечения равномерности нагрузки, увеличив количество циклов в 3-5 раз, однако и этого мало.

И другие виды подобных накопителей характеризуются тем, что в их служебную область заносится таблица с файловой системой. Она предотвращает сбои чтения информации на логическом уровне, например, при некорректном отключении либо при внезапном прекращении подачи электрической энергии. А так как при использовании сменных устройств системой не предусмотрено кэширование, то частая перезапись оказывает самое губительное воздействие на таблицу размещения файлов и оглавление каталогов. И даже специальные программы для карт памяти не способны помочь в данной ситуации. К примеру, при однократном обращении пользователь переписал тысячу файлов. И, казалось бы, только по одному разу применил для записи блоки, где они размещены. Но служебные области переписывались при каждом из обновлений любого файла, то есть таблицы размещения прошли эту процедуру тысячу раз. По указанной причине в первую очередь выйдут из строя блоки, занимаемые именно этими данными. Технология «выравнивания износа» работает и с такими блоками, но эффективность ее весьма ограничена. И тут не важно, какой вы используете компьютер, флешка выйдет из строя ровно тогда, когда это предусмотрено создателем.

Стоит отметить, что увеличение емкости микросхем подобных устройств привело лишь к тому, что общее количество циклов записи сократилось, так как ячейки становятся все меньше, поэтому требуется все меньше и напряжения для рассеивания оксидных перегородок, которые изолируют «плавающий затвор». И тут ситуация складывается так, что с увеличением емкости используемых приспособлений проблема их надежности стала усугубляться все сильнее, а class карты памяти теперь зависит от многих факторов. Надежность работы подобного решения определяется его техническими особенностями, а также ситуацией на рынке, сложившейся на данный момент. Из-за жесткой конкуренции производители вынуждены снижать себестоимость продукции любым путем. В том числе и благодаря упрощению конструкции, использованию комплектующих из более дешевого набора, ослаблению контроля за изготовлением и иными способами. К примеру, карта памяти "Самсунг" будет стоить дороже менее известных аналогов, но ее надежность вызывает гораздо меньше вопросов. Но и здесь сложно говорить о полном отсутствии проблем, а уж от устройств совсем неизвестных производителей сложно ожидать чего-то большего.

Перспективы развития

При наличии очевидных достоинств имеется целый ряд недостатков, которыми характеризуется SD-карта памяти, препятствующих дальнейшему расширению ее области применения. Именно поэтому ведутся постоянные поиски альтернативных решений в данной области. Конечно, в первую очередь стараются совершенствовать уже существующие типы флеш-памяти, что не приведет к каким-то принципиальным изменениям в имеющемся процессе производства. Поэтому не стоит сомневаться только в одном: фирмы, занятые изготовлением этих видов накопителей, будут стараться использовать весь свой потенциал, перед тем как перейти на иной тип, продолжая совершенствовать традиционную технологию. К примеру, карта памяти Sony выпускается на данный момент в широком диапазоне объемов, поэтому предполагается, что она и будет продолжать активно распродаваться.

Однако на сегодняшний день на пороге промышленной реализации находится целый комплекс технологий альтернативного хранения данных, часть из которых можно внедрить сразу же при наступлении благоприятной рыночной ситуации.

Ferroelectric RAM (FRAM)

Технология ферроэлектрического принципа хранения информации (Ferroelectric RAM, FRAM) предлагается с целью наращивания потенциала энергонезависимой памяти. Принято считать, что механизм работы имеющихся технологий, заключающийся в перезаписи данных в процессе считываниям при всех видоизменениях базовых компонентов, приводит к определенному сдерживанию скоростного потенциала устройств. А FRAM - это память, характеризующаяся простотой, высокой надежностью и скоростью в эксплуатации. Эти свойства сейчас характерны для DRAM - энергонезависимой оперативной памяти, существующей на данный момент. Но тут добавится еще и возможность длительного хранения данных, которой характеризуется Среди достоинств подобной технологии можно выделить стойкость к разным видам проникающих излучений, что может оказаться востребованным в специальных приборах, которые используются для работы в условиях повышенной радиоактивности либо в исследованиях космоса. Механизм хранения информации здесь реализуется за счет применения сегнетоэлектрического эффекта. Он подразумевает, что материал способен сохранять поляризацию в условиях отсутствия внешнего электрического поля. Каждая ячейка памяти FRAM формируется за счет размещения сверхтонкой пленки из сегнетоэлектрического материала в виде кристаллов между парой плоских металлических электродов, формирующих конденсатор. Данные в этом случае хранятся внутри кристаллической структуры. А это предотвращает эффект утечки заряда, который становится причиной утраты информации. Данные в FRAM-памяти сохраняются даже при отключении напряжения питания.

Magnetic RAM (MRAM)

Еще одним типом памяти, который на сегодняшний день считается весьма перспективным, является MRAM. Он характеризуется довольно высокими скоростными показателями и энергонезависимостью. в данном случае служит тонкая магнитная пленка, размещенная на кремниевой подложке. MRAM представляет собой статическую память. Она не нуждается в периодической перезаписи, а информация не будет утрачена при выключении питания. На данный момент большинство специалистов сходится во мнении, что этот тип памяти можно назвать технологией следующего поколения, так как существующий прототип демонстрирует довольно высокие скоростные показатели. Еще одним достоинством подобного решения является невысокая стоимость чипов. Флэш-память изготавливается в соответствии со специализированным КМОП-процессом. А микросхемы MRAM могут производиться по стандартному технологическому процессу. Причем материалами могут послужить те, что используются в обычных магнитных носителях. Производить крупные партии подобных микросхем гораздо дешевле, чем всех остальных. Важное свойство MRAM-памяти состоит в возможности мгновенного включения. А это особенно ценно для мобильных устройств. Ведь в этом типе значение ячейки определяется магнитным зарядом, а не электрическим, как в традиционной флеш-памяти.

Ovonic Unified Memory (OUM)

Еще один тип памяти, над которым активно работают многие компании, - это твердотельный накопитель на базе аморфных полупроводников. В его основу заложена технология фазового перехода, которая аналогична принципу записи на обычные диски. Тут фазовое состояние вещества в электрическом поле меняется с кристаллического на аморфное. И это изменение сохраняется и при отсутствии напряжения. От традиционных оптических дисков такие устройства отличаются тем, что нагрев происходит за счет действия электрического тока, а не лазера. Считывание в данном случае осуществляется за счет разницы в отражающей способности вещества в различных состояниях, которая воспринимается датчиком дисковода. Теоретически подобное решение обладает высокой плотностью хранения данных и максимальной надежностью, а также повышенным быстродействием. Высок здесь показатель максимального числа циклов перезаписи, для чего используется компьютер, флешка в этом случае отстает на несколько порядков.

Chalcogenide RAM (CRAM) и Phase Change Memory (PRAM)

Эта технология тоже базируется на основе когда в одной фазе вещество, используемое в носителе, выступает в качестве непроводящего аморфного материала, а во второй служит кристаллическим проводником. Переход запоминающей ячейки из одного состояния в другое осуществляется за счет электрических полей и нагрева. Такие чипы характеризуются устойчивостью к ионизирующему излучению.

Information-Multilayered Imprinted CArd (Info-MICA)

Работа устройств, построенных на базе такой технологии, осуществляется по принципу тонкопленочной голографии. Информация записывается так: сначала формируется двумерный образ, передаваемый в голограмму по технологии CGH. Считывание данных происходит за счет фиксации луча лазера на краю одного из записываемых слоев, служащих оптическими волноводами. Свет распространяется вдоль оси, которая размещена параллельно плоскости слоя, формируя на выходе изображение, соответствующее информации, записанной ранее. Начальные данные могут быть получены в любой момент благодаря алгоритму обратного кодирования.

Этот тип памяти выгодно отличается от полупроводниковой за счет того, что обеспечивает высокую плотность записи, малое энергопотребление, а также низкую стоимость носителя, экологическую безопасность и защищенность от несанкционированного использования. Но перезаписи информации такая карта памяти не допускает, поэтому может служить только в качестве долговременного хранилища, замены бумажного носителя либо альтернативы оптическим дискам для распространения мультимедийного контента.

Всем доброго дня!
Сегодняшняя статья положит начало новому, небольшому циклу статей, посвященному хранению информации, различным типам памяти, способам записывания/считывания информации и всему, что с этим связано 😉 И начнем мы с устройства хорошо нам всем знакомой Flash-памяти.

Что из себя вообще представляет Flash-память? Да просто обычная микросхема, ничем внешне не отличающаяся от любой другой. Поэтому может возникнуть резонный вопрос – а что там внутри и как вообще происходят процессы сохранения/считывания информации.

Итак, сердцем многих устройств памяти является полевой транзистор с плавающим затвором. Гениальнейшее изобретение 70-х годов 20-го века. Его отличие от обычных полевых транзисторов заключается в том, что между затвором и каналом, прямо в диэлектрике, расположен еще один проводник – который и называют плавающим затвором. Вот как все это выглядит:

На рисунке мы видим привычные нам сток-исток-затвор, а также расположенный в диэлектрике дополнительный проводник. Давайте разберемся как же это устройство работает.

Создадим между стоком и истоком разность потенциалов и подадим положительный потенциал на затвор. Что тогда произойдет? Правильно, через полевой транзистор, от стока к истоку потечет ток. Причем величина тока достаточно велика для того, чтобы “пробить” диэлектрик. В результате этого пробоя часть электронов попадет на плавающий затвор. Отрицательно заряженный плавающий затвор создает электрическое поле, которое начинает препятствовать протеканию тока в канале, в результате чего транзистор закрывается. И если отключить питание транзистора, электроны с плавающего затвора никуда не денутся и его заряд останется неизменным на долгие годы.

Но, конечно же, есть способ разрядить плавающий затвор. Для этого надо всего лишь подать на “основной” затвор напряжение противоположного знака, которое и “сгонит” все электроны, в результате чего плавающий затвор останется не заряженным.

Собственно так и происходит хранение информации – если на затворе есть отрицательный заряд, то такое состояние считается логической единицей, а если заряда нет – то это логический ноль.

С сохранением информации разобрались, осталось понять как нам считать информацию из транзистора с плавающим затвором. А все очень просто. При наличии заряда на плавающем затворе его электрическое поле препятствует протеканию тока стока. Допустим при отсутствии заряда мы могли подавать на “основной” затвор напряжение +5В, и при этом в цепи стока начинал протекать ток. При заряженном плавающем затворе такое напряжение не сможет заставить ток течь, поскольку электрическое поле плавающего затвора будет ему мешать. В этом случае ток потечет только при напряжении +10В (к примеру =)). Таким образом, мы получаем два пороговых значения напряжения. И, подав, к примеру +7.5В мы сможем по наличию или отсутствию тока стока сделать вывод о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе. Вот таким образом и происходит считывание сохраненной информации.

Как все это связано с Flash-памятью? А очень просто – полевой транзистор с плавающим затвором является минимальной ячейкой памяти, способной сохранить один бит информации. И любая микросхема памяти состоит из огромного количества расположенных определенным образом транзисторов. И вот теперь пришло время рассмотреть основные типы Flash-памяти. А именно я бы хотел обсудить NOR и NAND память.

Оба этих типа памяти построены на основе транзисторов с плавающим затвором, которым мы сегодня уделили немало времени) А принципиальное отличие состоит в том, каким образом соединены эти транзисторы.

Конструкция NOR использует двумерную таблицу проводников. Проводники называют линией битов и линией слов. Все стоки транзисторов подключаются к линии битов, а все затворы к линии слов. Рассмотрим пример для лучшего понимания.

Пусть нам надо считать информацию из какой-то конкретной ячейки. Эта ячейка, а точнее этот конкретный транзистор, подключен затвором на одну из линий слов, а стоком на одну из линий битов. Тогда мы просто подаем пороговое напряжение на линию слов, соответствующую затвору нашего транзистора и считываем его состояние как в том примере, что мы рассмотрели чуть выше для одной ячейки.

С NAND все несколько сложнее. Если возвращаться к аналогии с массивом, то ячейки NAND-памяти представляют собой трехмерный массив. То есть к каждой линии битов подключен не один, а сразу несколько транзисторов, что в итоге приводит к уменьшению количества проводников и увеличению компактности. Это как раз и является одним из главных преимуществ NAND-памяти. Но как же нам считать состояние определенного транзистора при такой структуре? Для понимания процесса рассмотрим схему:

Как видно из схемы, одна линия битов соответствует нескольким ячейкам. И важной особенностью является следующее: если хотя бы один из транзисторов закрыт, то на линии битов будет высокое напряжение. Вот смотрите:

Действительно, низкий уровень на линии битов будет только тогда, когда вся цепочка транзисторов окажется открытой (вспоминаем курс, посвященный полевым транзисторам 😉).

С этим вроде бы понятно, возвращаемся к нашему вопросу – как же считать состояние конкретного транзистора? А для этого недостаточно просто подать на линию слов (на затвор транзистора) пороговое напряжение и следить за сигналом на линии битов. Необходимо еще чтобы все остальные транзисторы были в открытом состоянии. А делается это так – на затвор нашего транзистора, состояние которого нам нужно считать, подается пороговое напряжение (как и в случае с NOR-памятью), а на затворы всех остальных транзисторов в этой цепочке подается повышенное напряжение, такое чтобы независимо от состояния плавающего затвора транзистор открылся. И тогда считав сигнал с линии битов мы узнаем в каком состоянии интересующий нас транзистор (ведь все остальные абсолютно точно открыты). Вот и все)

Такая вот получилась статейка сегодня) Разобрались мы с принципом работы и основными типами Flash, а также с устройством и принципом работы NAND и NOR-памяти. Надеюсь, что статья окажется полезной и понятной, до скорых встреч!

В этой статье мы с Вами поговорим о том, что положено в основу создания и по какому принципу работает устройство флэш-памяти (не путайте с USB флэш-накопителями и картами памяти). Кроме этого, вы узнаете о ее преимуществах и недостатках перед другими типами ПЗУ (постоянно запоминающими устройствами) и познакомитесь с ассортиментом самых распространенных накопителей, которые содержат в себе флэш-память.

Основное достоинство этого устройства в том, что оно энергонезависимое и ему не нужно электричество для хранения данных. Всю хранящуюся информацию во флэш-памяти можно считать бесконечное количество раз, а вот количество полных циклов записи к сожалению ограничено.

Флэш-память (flash memory) — относится к полупроводникам электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Благодаря техническим решениям, не высокой стоимости, большому объему, низкому энергопотреблению, высокой скорости работы, компактности и механической прочности, флэш-память встраивают в цифровые портативные устройства и носители информации.

У флэш-памяти перед другими накопителями (жесткие диски и оптические накопители) типа ПЗУ есть как свои преимущества, так и свои недостатки, с которыми вы можете познакомиться из таблицы расположенной ниже.

Тип ПЗУ	Преимущества	Недостатки
Жесткий диск	Большой объем хранимой информации. Высокая скорость работы. Дешевизна хранения данных (в расчете на 1 Мбайт).	Большие габариты. Чувствительность к вибрации. Тепловыделение.
Оптический диск	Удобство транспортировки. Дешевизна хранения информации. Возможность тиражирования.	Небольшой объем. Нужно считывающее устройство. Ограничения при операциях (чтение, запись). Невысокая скорость работы. Чувствительность к вибрации.
Флэш-память	Высокая скорость доступа к данным. Экономное энергопотребление. Устойчивость к вибрациям. Удобство подключения к компьютеру. Компактные размеры.	Ограниченное количество циклов записи.

Сегодня никто не сомневается в том, что флэш-память будет продолжать укреплять свои позиции в информационных технологиях, особенно в линейке мобильных устройств (КПК, планшеты, смартфоны, плееры). На основе флэш-памяти работают самые востребованные и популярные и сменные карты памяти для электронных устройств (SD, MMC, miniSD…).

Карты памяти, как и USB накопители не стоят в стороне, а привлекают внимание потенциальных покупателей своим многообразием. От такого изобилия запоминающих устройств выигрывает только производитель, а потребитель испытывает ряд неудобств. Ведь всем нам знакомы такие ситуации, когда телефону нужна одна карта, КПК другая, фотоаппарату третья. Такой ассортимент накопителей на руку производителям, потому что они извлекают из широкой эксклюзивной продажи большую выгоду. Вот небольшой список распространенных накопителей с флэш-памятью:

Compact Flash Type I (CF I)/Type II (CF II);
Memory Styck (MS Pro, MS Duo);
Secure Digital (SD);
miniSD;
xD-Picture Card (xD);
MultiMedia Card (MMC).
USB Flash Drive.

В одной из публикаций я писал о том , а о том как выбрать карту в формате SD (microSD, miniSD) .

Принцип работы флэш-памяти.

Элементарной ячейка хранения данных флэш-памяти представляет из себя транзистор с плавающим затвором. Особенность такого транзистора в том, что он умеет удерживать электроны (заряд). Вот на его основе и разработаны основные типы флэш-памяти NAND и NOR . Конкуренции между ними нет, потому что каждый из типов обладает своим преимуществом и недостатком. Кстати, на их основе строят гибридные версии такие как DiNOR и superAND .

Во флэш-памяти производители используют два типа ячеек памяти MLC и SLC.

Флэш-память с MLC(Multi-level cell — многоуровневые ячейки памяти)ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000).
Флэш-память, которая содержит в себе SLC (Single-level cell — одноуровневые ячейки памяти) ячейки имеет максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа.

Изменение заряда (запись/стирание) выполняется приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора.

Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры.

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

Теперь рассмотрим более подробно ячейки памяти с одним и двумя транзисторами…

Ячейка памяти с одним транзистором.

Если на управляющий затвор подать положительное напряжения (инициализация ячейки памяти) то он будет находиться в открытом состоянии, что будет соответствовать логическому нулю.

А если на плавающий затвор поместить избыточный отрицательный заряд (электрон) и подать положительное напряжение на управляющий затвор ,то он компенсирует создаваемое управляющим затвором электрическое поле и не даст образовываться каналу проводимости, а значит транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Вот так, наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе точно определяет состояние открыт или закрыт транзистор, когда подается одно и тоже положительное напряжения на управляющий затвор. Если мы будем рассматривать подачу напряжения на управляющий затвор, как инициализацию ячейки памяти, то по тому, какое напряжение между истоком и стоком можно судить о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе.

Таким образом получается своеобразная элементарная ячейка памяти, способная сохранять один информационный бит. Ко всему этому очень важно, чтобы заряд на плавающем затворе (если он там имеется) мог сохраняться там долго, как при инициализации ячейки памяти, так и при отсутствии напряжения на управляющем затворе. Только в этом случае ячейка памяти будет энергонезависимой.

Так каким же образом в случае необходимости на плавающий затвор помещать заряд (записывать содержимое ячейки памяти) и удалять его оттуда (стирать содержимое ячейки памяти) когда это необходимо.

Поместить заряд на плавающий затвор (процесс записи) можно методом инжекции горячих электронов (CHE-Channel Hot Electrons) или методом туннелирования Фаулера-Нордхейма.

Если используется метод инжекции горячих электронов, то на сток и управляющий затвор подается высокое напряжение, что придаст электронам в канале энергии, достаточной чтобы преодолеть потенциальный барьер, который создается тонким слоем диэлектрика, и направить (туннелировать) в область плавающего затвора (во время чтения на управляющий затвор подается меньшее напряжение и эффект туннелирования не происходит).

Чтобы удалить заряд с плавающего затвора (выполнить стирания ячейки памяти) на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (около 9 В), а на область истока подается положительное напряжение. Это приводит к тому, что электроны туннелируют из области плавающего затвора в область истока. Таким образом происходит квантовое туннелирование Фаулера — Нордхейма (Fowler — Nordheim).

Наверно вы уже поняли, что транзистор с плавающим затвором это элементарная ячейка флэш-памяти. Но ячейки с одним транзистором имеют некоторые недостатки, основным из которых является плохая масштабируемость.

Так как при создании массива памяти, каждая ячейка памяти (то есть транзистор) подключается к двум перпендикулярным шинам. Управляющие затворы подключаются к шине, которую называют линией слов (Word Line), а стоки соединяют с шиной, ее называют битовой линией (Bit Line). В следствии чего в схеме находится высокое напряжение и при записи методом инжекции горячих электронов все линии — слов, битов и истоков нужно разместить на большом расстоянии друг от друга. Это даст нужный уровень изоляции, но отразится на ограничении объема флэш-памяти.

Еще одним недостатком такой ячейки памяти является присутствие эффекта избыточного удаления заряда с плавающего затвора, а он не может компенсироваться процессом записи. В следствии этого на плавающем затворе образуется положительный заряд, что делает неизменным состояние транзистора и он всегда остается открытым.

Ячейка памяти с двумя транзисторами.

Двухтранзисторная ячейка памяти, это модифицированная однотранзисторная ячейка, в которой находится обычный КМОП-транзистор и транзистор с плавающим затвором. В этой структуре обычный транзистор выполняет роль изолятора транзистора с плавающим затвором от битовой линии.

Имеет ли преимущества двухтранзисторная ячейка памяти? Да, ведь с ее помощью можно создавать более компактные и хорошо масштабируемые микросхемы памяти, потому что здесь транзистор с плавающим затвором изолируется от битовой линии. Ко всему прочему, в отличии от однотранзисторной ячейки памяти, где информация записывается методом инжекции горячих электронов, в двухтранзисторной ячейки памяти для записи и стирания информации используется метод квантового туннелирования Фаулера — Нордхейма. Такой подход дает возможность снизить напряжение, которое необходимо для операции записи. Забегая наперед скажу, что двухтранзисторные ячейки применяются в памяти со структурой NAND.

Устройство флэш-памяти с архитектурой NOR.

Тип этой памяти является источником и неким толчком в развитии всей EEPROM. Ее архитектура была разработана компанией Intel в далеком 1988 году. Как было написано ранее, чтобы получить доступ к содержимому ячейки памяти (инициализировать ячейку), нужно подать напряжение на управляющий затвор.

Поэтому разработчики компании все управляющие затворы подсоединили к линии управления, которая называется линией слов (Word Line). Анализ информации ячейки памяти выполняется по уровню сигнала на стоке транзистора. Поэтому разработчики все стоки транзисторов подсоединили к линии, которая называется линией битов (Bit Line).

Архитектура NOR получила название благодаря логической операции ИЛИ — НЕ (в переводе с английского NOR). Принцип логической операции NOR заключается в том, что она над несколькими операндами (данные, аргумент операции…) дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных операциях.

В нашем случае под операндами подразумевается значение ячеек памяти, а значит в данной архитектуре единичное значение на битовой линии будет наблюдается только в том случае, когда значение всех ячеек, которые подключены к битовой линии, будут равны нулю (все транзисторы закрыты).

В этой архитектуре хорошо организован произвольный доступ к памяти, но процесс записи и стирания данных выполняется относительно медленно. В процессе записи и стирания применяется метод инжекции горячих электронов. Ко всему прочему микросхема флеш-памяти с архитектурой NOR и размер ее ячейки получается большим, поэтому эта память плохо масштабируется.

Структура шести ячеек NOR Flash

Флеш-память с архитектурой NOR как правило используют в устройствах для хранения программного кода. Это могут быть телефоны, КПК, BIOS системных плат…

Устройство флэш-памяти с архитектурой NAND.

Данный тип памяти был разработан компанией Toshiba. Эти микросхемы благодаря своей архитектуре применяют в маленьких накопителях, которые получили имя NAND (логическая операция И-НЕ). При выполнении операция NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случаях.

Как было написано ранее, нулевое значение это открытое состояние транзистора. В следствии этого в архитектуре NAND подразумевается, что битовая линия имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хотя бы один из транзисторов закрыт. Такую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR) , а последовательными сериями (столбец из последовательно включенных ячеек).

Данная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется потому, что разрешает компактно разместить транзисторы на схеме. Кроме этого архитектура NAND производит запись путем туннелирования Фаулера — Нордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. Чтобы увеличить скорость чтения, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш.

Как и кластеры жесткого диска так и ячейки NAND группируются в небольшие блоки. По этой причине при последовательном чтении или записи преимущество в скорости будет у NAND. Но с другой стороны NAND сильно проигрывает в операции с произвольным доступом и не имеет возможности работать на прямую с байтами информации. В ситуации когда нужно изменить всего несколько бит, система вынуждена переписывать весь блок, а это если учитывать ограниченное число циклов записи, ведет к большому износу ячеек памяти.

Структура одного столбца NAND Flash

В последнее время ходят слухи о том, что компания Unity Semiconductor разрабатывает флэш-память нового поколения, которая будет построена на технологии CMOx. Предполагается, что новая память придет на смену флеш-памяти типа NAND и преодолеет ее ограничения, которые в памяти NAND обусловлены архитектурой транзисторных структур. К преимуществам CMOx относят более высокую плотность и скорость записи, а также более привлекательную стоимость. В числе областей применения новой памяти значатся SSD и мобильные устройства. Ну, что же правда это или нет покажет время.

Чтобы более детально донести до Вас всю необходимую информацию я разместил видео ролик по теме.

P.S. Объяснить простым языком технический материал людям которые не представляют как построена архитектура компьютера… очень сложно, но я надеюсь у меня это получилось. Для полной и достоверной информации в этой статье я частично использовал учебную литературу. Надеюсь эта статья была для вас полезной и познавательной. Пока!

Несмотря на прогресс компьютерных технологий еще всего 3-4 года назад много новых компьютеров (а тем более старых) имели в своем составе флоппи-дисковод. Значительное удешевление оптических приводов и компакт-дисков не смогли заменить 3.5-дюймовые дискеты. Неудобно пользоваться оптическими носителями и все тут. Если считывание данных с них еще особого дискомфорта не вызывает, то вот запись и удаление уже требовали какого-то времени. Да и надежность дисков хоть и многократно выше чем у дискет, все равно через какое-то время, особенно после активного использования, начинает падать. Как всегда в самый неподходящий момент привод от старости (своей или диска) "взбрыкнет" и скажет, что диска на горизонте не заметно.

Вот и продержались дискеты так долго. Носить на них какую-нибудь мелочь вроде документов, либо исходных кодов программ еще вполне можно. Но сейчас и для этого типа данных порой не хватает 1.38 Мбайт свободного места.

Решение проблемы замаячило довольно давно. Имя ему флэш-память. Изобретена она была еще в 80-х годах прошлого века, но до реально массовых продуктов добралась к концу 90-х. И причем первое время у нас она была доступна в качестве карт-памяти, а затем в виде MP3-плееров, которые сегодня уже сменили аббревиатуру MP3 на более гордый и обобщающий эпитет "цифровой".

Далее последовало появление USB-флэш накопителей. Процесс их проникновения был по началу не самым быстрым. Начался он с появления решений на 16-64 Мбайт. Сейчас это мизер, но лет 8 назад по сравнению с дискетой это было ого-го как хорошо. А плюс к этому добавлялось удобство работы, высокая скорость чтения/записи и, конечно же, высокая цена. Тогда такие флэшки стояли дороже пишущего оптического привода, которые сами оценивались в сумму порядка $100.

Тем не менее, удобство флэшек оказало решающее влияние на выбор потребителя. В итоге в 2005 году начался настоящий бум. Стоимость флэш-памяти многократно упала, а вместе с ней выросла емкость накопителей. В итоге сегодня за каких-нибудь 2000-2500 рублей можно купить флэшку на 32 Гбайта, тогда как год назад такая стоила чуть ли не вдвое дороже.

Прогресс в области флэш-памяти оказался успешным на столько, что она сегодня уже начинает конкурировать с жесткими дисками. Пока что только в области скорости чтения/записи и времени доступа, а также в энергетических показателях и прочности, но победу по емкости в ближайшие годы также исключать нельзя. Единственное достоинство HDD – это цена. Один "жесткий" гигабайт стоит куда меньше. Но и это лишь вопрос времени.

Итак, флэш-память - это одна из наиболее перспективных компьютерных технологий для хранения данных. Но откуда она такая взялась и каковые ее возможные ограничения и недостатки? Как раз на эти все вопросы и призвана ответить эта статья.

Прошлое

В то время как японские грузчики разгружали одну из первых партий компьютеров Apple, привезенных в холодильниках из-за изображенного яблока на коробках, один японский ученый по имени Фуджио Масуоки трудился в стенах исследовательской лаборатории Toshiba над новым типом памяти. Название ей придумали не сразу, но перспективы изобретения ученому были видны с самого начала.

Впрочем, с названием определились довольно быстро. Коллега Фуджио, господин Шоджи Ариизуми, предложил назвать новую память "flash". Один из переводов этого слова обозначает вспышку фотоаппарата (да и в принципе любую другую вспышку света). На такую мысль Шоджи навел способ стирания данных.

Представлена новая технология была в 1984 году в Сан-Франциско на мероприятии под названием International Electron Devices Meeting (международная встреча производителей электронных устройств), проведенным институтом IEEE. Заметили ее сразу, причем довольно крупные компании. К примеру Intel выпустила свой первый коммерческий NOR-чип уже в 1988 году.

Пять лет спустя, в 1989 году, Toshiba на аналогичном мероприятии представила технологию NAND-флэш памяти. Сегодня именно этот тип применяется в подавляющем большинстве устройств. Почему именно - расскажем в следующем разделе.

NOR и NAND

NOR-память была представлена несколько раньше поскольку она чуть проще в производстве, да и ее транзисторы по своему строению напоминают обычный MOSFET-транзистор (канальный полевой униполярный МОП-транзистор). Разница заключается лишь в том, что в NOR-памяти транзистор в дополнение к контролирующему затвору имеет второй, "плавающий", затвор. Последний при помощи специального изолирующего слоя может удерживать электроны в течение многих лет, держа транзистор не разряженным.

Вообще свое название NOR-память получила из-за работы как NOR-затвор (NOR – логическая операция НЕ-ИЛИ; принимает значение "истина" только когда на оба входа подается "ложь"). Так что пустая ячейка NOR-памяти заполнена логическим значением "1". Кстати, тоже самое касается и NAND-памяти. И, как не сложно догадаться, она свое название получила из-за схожего принципа работы с NAND-затвором (NAND – логическая операция НЕ-И; принимает значение "ложь" только когда на оба входа подается "истина").

Во что выливается на практике эти самые "НЕ-И" и "НЕ-ИЛИ"? В то, что чип NOR-памяти можно очистить только целиком. Хотя в более современных инкарнациях данной технологии чип разбит на несколько блоков, занимающих обычно 64, 128 или 256 Кбайт. Зато этот тип памяти имеет внешнюю шину адресов, что позволяет побайтное чтение и программирование (запись). Это позволяет не только максимально точно получать доступ к данным напрямую, но и исполнять их прямо "на месте", не выгружая всю информацию в оперативную память. Эта возможность называется XIP (eXecute In Place – выполнение на месте).

Стоит также рассказать о сравнительно новой функции NOR-памяти под названием BBM (Bad Block Management - управление бэд-блоками). Со временем часть ячеек может придти в негодность (точнее станет недоступна их запись) и контроллер чипа, заметив это, переназначит адрес таких ячеек на другой, пока еще рабочий блок. Чем-то подобным занимаются и жесткие диски, о чем мы писали в статье " ".

Таким образом NOR-память хорошо подходит для тех случаев, когда требуется максимальная точность считывания данных и довольно редкое их изменение. Догадываетесь к чему мы клоним? Правильно - к прошивкам различных устройств, в частности BIOS системных плат, видеокарт и т.д. Именно там сейчас NOR-флэш и применяется чаще всего.

Что касается NAND, то с ней ситуация чуть "позаковыристей". Чтение данных может осуществляться только постранично, а запись - поблочно. Один блок состоит из нескольких страниц, а одна страница обычно имеет размер 512, 2048 или 4096 байт. Число страниц в блоке как правило варьируется от 32 до 128. Так что ни о каком исполнение "на месте" речи не идет. Еще одно ограничение NAND-памяти - это то, что запись в блок может осуществляться только последовательно.

В итоге подобная точность (хотя правильнее будет сказать "не точность") порой приводит к ошибкам, особенно если приходится иметь дело с MLC-памятью (об этом типе чуть ниже). Для их коррекции применяется механизм ECC. Он может исправить от 1 до 22 бит в каждых 2048 битах данных. Если исправление невозможно, то механизм определяет наличие ошибки во время записи или стирания данных и блок помечается как "плохой".

Кстати, для предотвращения образования бэд-блоков во флэш-памяти существует специальный метод под названием "wear levelling" (дословно "уровень износа"). Работает он довольно просто. Поскольку "живучесть" блока флэш-памяти зависит от количества операций стирания и записи, а для разных блоков это количество разное, контроллер устройства подсчитывает число этих операций для блоков, стараясь со временем проводить запись на те, что использовались меньше. То есть на те, которые меньше "изношены".

Ну а что касается области применения NAND-памяти, то благодаря возможности более плотного размещения транзисторов, а заодно более дешевого их изготовления, она как раз и используется во всех картах флэш-памяти и USB-флэшках, а также SSD.

Ну и немного об SLC (Single-Level Cell - одноуровневая ячейка) и MLC (Multi-Level Cell - многоуровневая ячейка) ячейках. Изначально был доступен только первый тип. Он предполагает, что в одной ячейке может храниться только два состояния, то есть один бит данных. Чипы MLC были придуманы позже. Их возможности чуть шире - в зависимости от напряжения контроллер может считать с них более двух значений (как правило четыре), что позволяет хранить в одной ячейке от 2 и более бит.

Достоинства MLC на лицо - при том же физическом размере в одну ячейку помещается вдвое больше данных. Недостатки, впрочем, не менее существенны. Прежде всего это скорость считывания - она естественно ниже, чем у SLC. Ведь требуется создание более точного напряжения, а после этого необходимо правильно расшифровать полученную информацию. И тут же возникает второй недостаток - неизбежные ошибки при считывании и записи данных. Нет, данные не повреждаются, но это сказывается на скорости работы.

Довольно существенный недостаток флэш-памяти - это ограниченное число циклов записи и стирания данных. В этом отношении она пока что не очень хорошо может соперничать с жесткими дисками, но в целом ситуация с каждым годом улучшается. Вот данные по времени службы разных типов флэш-памяти:

SLC NAND – до 100 тысяч циклов;
MLC NAND – до 10 тысяч циклов;
SLC NOR – от 100 до 1000 тысяч циклов;
MLC NOR – до 100 тысяч циклов.

Вот вам и еще один недостаток MLC-памяти - она менее долговечна. Ну а NOR-флэш вообще вне конкуренции. Правда, от этого мало толку обычному обывателю - все равно его флэшка вероятнее всего построена на основе NAND-флэш, да еще и на MLC-чипах. Впрочем, технологии не стоят на месте и уже в массы постепенно идет NAND-флэш с миллионым циклом записи и стирания данных. Так что со временем эти параметры станут для нас мало существенными.

"Карточки"

Разобравшись с типами флэш-памяти теперь перейдем к реальным продуктам на ее основе. Само собой описание микросхем BIOS мы опустим, поскольку большинство читателей они интересуют мало. Также как не имеет смысла рассказывать о USB-флэшках. С ними все предельно просто: подключаются через интерфейс USB, установленные внутри чипы целиком и полностью зависят от производителя. Стандартов для этих носителей никаких нет, если не считать необходимость наличия совместимости с USB.

Зато стандарты требуются для флэш-карт, которые сегодня используются в цифровых фотоаппаратах, плеерах, мобильных телефонах и других мобильных устройствах. Карт-ридер для них имеется в большинстве ноутбуков и нетбуков, а еще такой можно встретить в бытовых DVD (или Blu-ray) проигрывателях, либо автомагнитолах.

Для этих устройств существует одна универсальная характеристика - число поддерживаемых карт памяти. Порой на карт-ридерах можно увидеть гордые надписи "20-в-1" или даже "30-в-1", означающие число поддерживаемых форматов. Но что самое удивительное, принципиально разных массовых форматов всего 6. Все остальные - это их модификации. Вот на этих шести стандартах мы и остановимся далее.

CompactFlash

Формат CompactFlash занимает особое место среди всех остальных форматов карт флэш-памяти. Прежде всего потому, что он был самым первым массовым стандартом. Его представила компания SanDisk в 1994 году. И до сих пор он активно применяется в цифровых зеркальных камерах, а также компьютерах-роутерах и других узкоспециализированных устройствах.

Самое интересное, что первые CF-карточки были основаны на NOR-чипах производства Intel. Но потом довольно быстро были переведены на NAND-флэш, что позволило снизить стоимость и повысить емкость.

CompactFlash создавался как формат для внешнего хранения данных. Но поскольку 15 лет назад карт-ридеров не было, да и USB только проектировался, CF-карты были созданы на основе спецификаций интерфейса ATA (IDE). Таким образом такая карточка может быть подключена к обычному IDE-разъему или вставлена в слот PC Card через пассивный адаптер. Именно поэтому CompactFlash очень удобно использовать в роутерах и аналогичных устройствах - скорость и большой объем там не требуются, а вот размеры, ударостойкость и малый нагрев куда более актуальны.

Кроме того не составляет труда сделать переходник для интерфейса USB или FireWire. И, что самое интересное, большинство карт-ридеров используют систему ввода/вывода CompactFlash для обмена данными между компьютером и другими форматами: SD/MMC, Memoty Stick, xD и SmartMedia.

Теперь о различных модификациях стандарта CompactFlash. Изначально такие карточки выпускались в едином "картридже" размером 43х36х3.3 мм. Он применяется и сегодня. Но когда был представлен однодюймовый винчестер IBM Microdrive, то был добавлен второй форм-фактор с размерами 43х36х5.0 мм. Таким образом первый стал называться CF Type I, а второй - CF Type II. После того как выпуск Microdrive (и его аналогов) был остановлен актуальность CF Type II сошла на нет.

Имеется у CompactFlash еще несколько ревизий. Их необходимость возникла по мере роста скоростей чтения/записи, а также объема. Так ревизия 2.0 повысила максимальную скорость до 16 Мбайт/с. Позже появилась ревизия 3.0, увеличившая это значение до 66 Мбайт/с. Ну и самая последняя версия 4.0/4.1 позволяет вести обмен данными на скорости до 133 Мбайт/с. Последнее значение соответствует стандарту UDMA133, который также уже теряет свою актуальность.

На смену четвертой ревизии уже подготавливается... нет, не новая ревизия - новый формат - CFast. Его главное принципиальное отличие - использование интерфейса SerialATA вместо IDE. Само собой это полностью перекрывает обратную совместимость с прежним типом разъема, зато увеличивает максимальную скорость до 300 Мбайт/с и возможность наращивания объема куда больше 137 Гбайт. Заметим, что для обмена данными CFast использует семь контактов, как и обычный SATA-интерфейс. Зато питание подается через 17 контактов, тогда как у SATA-устройств их 15. Так что напрямую подключить CFast-карту к материнской плате не получится, придется использовать переходник. Появится такие карточки должны уже в этом году. В январе на CES 2009 уже были продемонстрированы первые образцы емкостью 32 Гбайта.

Теперь остается рассказать о скорости обмена данными и доступных на сегодняшний день объемах карт CompactFlash. Скорость у CF-карточек (да и у остальных накопителей флэш-памяти, кроме SSD, тоже) измеряется точно так, как и у CD-дисков. То есть 1х соответствует 150 Кбайт/с. На самых быстрых представителях красуются надписи 300х, что соответствует есть 45 Мбайт/с. В принципе не мало, но и до жестких дисков на пару с SSD далеко. Но со временем скорость будет только возрастать.

Ну а что касается объема, то за все время были выпущены карты CompactFlash емкостью от 2 Мбайт до 100 Гбайт. Сегодня наиболее распространены варианты от 1 до 32 Гбайт. Впрочем, в продаже уже доступны версии на 48, 64 и 100 Гбайт, хотя они пока что довольно редки. Пока что формат CompactFlash предлагает самые емкие карты флэш-памяти. Но зато другие могут предложить иные преимущества. О них читаем далее.

SmartMedia

Вторым массовым форматом флэш-карт стал SmartMedia. Он был представлен на год позже CompactFlash - летом 1995 года. Собственно, он и создавался как конкурент CF. Что SmartMedia мог предложить? Прежде всего меньшие размеры. А если быть еще точнее, то только меньшую толщину - всего 0.76 мм; ширина и длина таких карточек была 45х37 мм, тогда как у CompactFlash эти параметры почти такие же - 43х36 мм. Надо отметить, что в плане толщины SM пока еще не превзошел ни один другой формат. Даже сверхкомпактные карты microSD "пожирнее" - 1 мм.

Подобного показателя удалось достигнуть благодаря изъятию чипа-контроллера. Он был перенесен в карт-ридер. Да и внутри самой SM-карты по началу мог размещаться один NAND-чип, по потом, по мере совершенствования технологии, их там стало больше.

Но отсутствие контроллера внутри карточки имеет определенные минусы. Во-первых по мере роста объема и выхода новых моделей носителей приходилось обновлять прошивку карт-ридера. Да и не всегда эта операция была доступна, если карт-ридер был совсем уж старым. Также со временем началась путаница с рабочим напряжением карт SmartMedia. Изначально оно было 5.0 В, а потом 3.3 В. И если карт-ридер не поддерживал одно из них, то с такими картами он работать не мог. Более того, при вставке карточки на 3.3 вольта в 5.0-вольтовый карт-ридер она могла повредиться или сгореть.

Во-вторых для формата SmartMedia невозможно использование метода подсчета уровня износа блоков флэш-памяти (метод wear levelling мы описали в прошлом разделе). А это потенциально угрожает сократить срок службы карты памяти.

Впрочем, все это не помешало довольно долго использовать SmartMedia в качестве основного формата для цифровых камер - в 2001 году его поддерживало до половины таких устройств на рынке, хотя тогда и рынок этот был куда поскромнее сегодняшнего. В других цифровых устройствах вроде плееров, КПК или мобильных телефонов SmartMedia себя на нашел. Да и производители камер стали отказываться от SM. Фотоаппараты становились все меньше и малой толщины этих карточек уже было недостаточно. Ну и второй существенный минус - рост потребности в большей емкости. Карты SmartMedia достигли объема всего 128 Мбайт. Планировались варианты на 256 Мбайт, но их так и не выпустили.

А вообще SmartMedia задумывался как замена для 3.5-дюймовых флоппи-дискет. Для них даже был выпущен специальный адаптер под названием FlashPath. Его представили в мае 1998 года и через год их было продано миллион штук. Разработан он был компанией SmartDisk, которая, кстати, выпускала аналогичные адаптеры и для карт MemoryStick и SD/MMC.

Самое удивительное, что работать FlashPath может с любым флоппи-дисководом, отменным логотипом "HD" (High-Density - высокая плотность). Короче подходит любой, который читает 1.44 Мбайт дискеты. Но есть одно "но". Без него никак не обойтись. А тут их даже два. Первое - для распознания FlashPath-адаптера и карточки внутри него требуется специальный драйвер. И если его под нужную ОС не имеется, то она в пролете. Так что загрузится с такой дискеты уже не получится. Второе "но" - скорость работы. Она не превышает таковую при работе с обычной дискеты. И если 1.44 Мбайт можно было скопировать или записать чуть больше чем за минуту, то на 64 Мбайта уйдет больше часа.

Сегодня формат SmartMedia можно назвать мертвым. Некоторые карт-ридеры все еще поддерживают работу с ним (особенно самые понтовые а-ля "все-в-1"), но эта совместимость просто не актуальна. Хотя, конечно, определенную лепту в развитие флэш-технологий этот стандарт внес.

Формат MMC был представлен третьим по счету в 1997 году. Его разработкой занимались SanDisk и Siemens AG. Аббревиатура MMC расшифровывается как MultiMediaCard, что сразу говорит предназначении стандарта - цифровые мультимедийные устройства. Именно там MMC чаще всего и применяется.

В принципе MMC очень сильно связан с SD, особенно их первые версии. Тем не менее, они разошлись в своем развитии и сегодня второй является наиболее распространенным. Так что о нем мы расскажем в следующем подразделе.

MMC в отличие от CompactFlash и SmartMedia имеет более компактные размеры. В плане длины и ширины: 24х32 мм. Толщина карточек MMC составляет 1.4 мм, что примерно в два раза больше, чем у SM. Но этот параметр не так критичен, чем два других измерения.

За все время существования MMC было представлено целых восемь различных модификаций его карт. Первая (просто MMC) для передачи данных использует однобитный последовательный интерфейс, а ее контроллер работает на частоте до 20 МГц. Это означает максимальную скорость не более 20 Мбит/с (2.5 Мбайт/с или примерно 17х). В принципе довольно скромно по современным меркам, но 12 лет назад этого было достаточно.

В 2004 году представили форм-фактор RS-MMC. Приставка RS означает Reduced-Size или "уменьшенный размер". Ее габариты следующие: 24х18х1.4 мм. Можно заметить, что почти в два раза уменьшилась высота. В остальном это была точно такая же MMC-карта памяти. Но для ее установки в карт-ридер необходимо использовать механический адаптер.

Довольно краткоживущим оказался формат DV-MMC (DV означает Dual-Voltage – двойное напряжение). Такие карты могли работать на стандартном напряжении 3.3 В и на пониженном 1.8 В. Нужно это для экономии энергии. Тут явно прослеживается ориентация на мобильные устройства. Но DV-MMC карточки быстро свернули в связи с появлением форматов MMC+ (или MMCplus) и MMCmobile.

MMC+ и MMCmobile довольно существенно отличались от оригинальной спецификации MMC и представляли собой ее четвертую версию. Впрочем, это не мешало им сохранить полную обратную совместимость со старыми карт-ридерами и устройствами, но для использования их новых возможностей требовалось обновление прошивки. А возможности эти были следующими. К однобитному интерфейсу обмена данными добавились 4- и 8-битные. Частота контроллера могла быть от 26 до 52 МГц. Все это поднимало максимальную скорость до 416 Мбит/с (52 Мбайт/с). Оба этих формата поддерживали работу с напряжением 1.8 или 3.3 В. По размерам они не отличились от MMC и RS-MMC, соответственно MMCplus и MMCmobile.

Позднее появился самый маленький MMC – MMCmicro. Размеры карточки были 14х12х1.1 мм. В основе этого формата лежал MMC+ с некоторыми ограничениями. В частности из-за отсутствия дополнительных контактов (у MMC их 7, у MMC+ - 13) интерфейс обмена данными не поддерживал 8-битную передачу данных.

Имеется еще такой не совсем обычный формат как miCard. Его представили летом 2007 года с целью создать универсальную карту, которую можно вставлять как в карт-ридер SD/MMC, так и в разъем USB. Первые карточки должны были иметь емкость 8 Гбайт. Максимум же достигает 2048 Гбайт.

Ну и последний - это SecureMMC. Он также основан на спецификации версии 4.х, что использована в MMC+. Его главная возможность - поддержка DRM-защиты. Кстати, именно этим изначально и отличался формат SD от MMC. SecureMMC – это попытка конкуренции с SD. Так что переходим к этому стандарту.

Формат SD (Secure Digital) на сегодняшний день является наиболее популярным. Он и его модификации используются везде: в цифровых плеерах и фотоаппаратах (даже в зеркальных), в КПК и мобильных телефонах. Вероятно причина этого заключается в его постоянной поддержке и развитии со стороны многих компаний.

Представлен же SD был в 1999 году компаниями Matsushita и Toshiba. Полноразмерная карточка Secure Digital по своим габаритам такая же, как и MMC – 32x24x2.1 мм. Большая толщина объясняется наличием блокирующего от записи ключа. Впрочем, спецификация SD позволяет делать карты и без оного (они называются Thin SD), тогда тощина снижается до 1.4 мм.

Изначально выход SD ставил своей целью конкуренцию с MemoryStick (о нем рассказывается ниже), который поддерживал DRM-защиту медиа-файлов. Тогда компании-разработчики ошибочно предположили, что гиганты медиа-индустрии так насядут на онлайн-магазины, что все файлы будут защищены DRM. Вот и решили подсуетиться.

В основу Secure Digital легли спецификации MMC. Именно поэтому карт-ридеры SD запросто работают с MMC. Почему не наоборот? Для оберегания контактов от износа у карт SD они были несколько утоплены в корпус. Поэтому контакты карт-ридера, нацеленного только на работу с MMC, просто не достанут до контактов SD-карты.

В плане разнообразия форматов SD не менее "скромный", чем его предшественник. Прежде всего стоит отметить, что было представлено еще два форм-фактора: miniSD (20х21.5х1.4 мм) и microSD (11x15x1). Последний изначально был создан SanDisk и назывался как T-Flash, а затем как TransFlash. А после его адаптировала в качестве стандарта ассоциация SD Card Association.

Остальные различия касаются емкости карточек. И тут есть определенная путаница. Началась она еще с первого поколения карт, которые достигли объема 2 Гбайта. SD-карта идентифицируется 128-битным ключом. Из них 12 бит используются для обозначения числа кластеров памяти и еще 3 бита для обозначения числа блоков в кластере (4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 или 512 - итого 8 значений, что соответствует трем битам памяти). Ну а стандартный размер блока для первых версий составлял 512 байт. Итого 4096х512х512 дает 1 Гбайт данных. Приплыли.

Когда "сверху" недостаток емкости стал поджимать появилась версия 1.01 спецификации, позволявшая использовать дополнительный бит для дополнительного определения объема блока - он теперь мог быть 1024 или 2048 байт, а максимальная емкость соответственно выросла до 2 и 4 Гбайт. Но вот незадача - старые устройства могли некорректно определять размер новых карт памяти.

В июне 2006 года появилась новая редакция стандарта - SD 2.0. Ему даже новое имя дали - SDHC или Secure Digital High Capacity (Secure Digital высокой емкости). Название говорит само за себя. Основное нововведение SDHC – возможность создания карточек объемом до 2 Тбайт (2048 Гбайт). Минимальная граница в принципе не ограничена, но на практике SDHC-карты имеют объем от 4 Гбайт. Примечательно, что искусственно ограничена максимальная граница - 32 Гбайт. Для более емких карт предлагается использовать стандарт SDXC (о нем ниже), хотя несколько производителей представили SDHC на 64 Гбайта.

Стандарт SD 2.0 использует для определения размера 22 бита данных, но четыре из них зарезервированы для будущего использования. Так что карт-ридеры, изначально не приспособленные для работы с SDHC, не смогут распознать новые карты памяти. Зато новое устройства запросто узнают старые карточки.

Вместе с анонсом формата SDHC появилась идентификация по скоростным классам. Их существует три варианта: SD Class 2, 4 и 6. Цифры эти обозначают минимальную скорость обмена данными для карточки. То есть карта с SD Class 6 обеспечит скорость минимум 6 Мбайт/с. Ну а верхняя граница естественно не ограничена, хотя пока что ситуация с картами SD обстоит примерно так же, как и с CompactFlash – самые быстрые представители достигли скорости 300х или 45 Мбайт/с.

Стоит добавить, что модернизации подверглись и миниатюрные форм-факторы. Про miniSDHC и microSDHC никто не забыл. Правда, попадаются в продаже в основном первые карточки. Сегодня их максимальный объем достиг уже 16 Гбайт, а на подходе 32 Гбайт варианты.

Ну и самая последняя новинка - стандарт . Назвали ли его версией 3.0 или нет, нам так выяснить не удалось. Однако от SDHC он отличается не столь значительно. Прежде всего для него сняли искусственное ограничение на максимальный объем, который теперь может достигать 2 Тбайт. Максимальная скорость обмена данными была повышена до 104 Мбайт/с, а в будущем обещают поднять ее до 300 Мбайт/с. Ну и в качестве основной файловой системы избрали exFAT (о ней рассказано ниже), тогда как SDHC довольствуется в большинстве случаев FAT32. Первые карточки SDXC уже были анонсированы и они имеют емкость 32 или 64 Гбайта. Но продуктов с их поддержкой еще потребуется обождать какое-то время.

Собственно о карточках SD все. Но в рамках этого стандарта выпустили еще несколько интересных вещей. К примеру, спецификацию SDIO (Secure Digital Input Output). Согласно ей используя форм-фактор и интерфейс карт SD можно создавать такие устройства как GPS-ресиверы, контроллеры Wi-Fi и Bluetooth, модемы, FM-тюнеры, Ethernet-адаптеры и др. То есть слот SD в этом случае служит неким аналогом USB.

SanDisk отличилась картами SD Plus, в которые сразу интегрирован USB-коннектор. Довольно интересную разработку представляет собой Eye-Fi. Это карта памяти со встроенным контроллером Wi-Fi. Последний может передавать данные с карточки на любой компьютер. Таким образом нет нужды даже извлекать ее из фотоаппарата или телефона.

Итого на сегодняшний день формат Secure Digital является самым популярным и быстрорастущим. Ему пока что пытается противостоять Sony со своими Memory Stick, но выходит у нее это плохо.

Memory Stick

Компания Sony известна своей нелюбовью к большинству форматов и стандартов, что не были разработаны ею. Оно и понятно - с них лицензионных отчислений не получишь. Так в итоге появились и DVD+R/RW и Blu-ray и карточки Memory Stick. Представленные в октябре 1998 года они до сих пор распространены только среди продукции Sony. Да и их выпуском занимается по большому счету только Sony и немного SanDisk. Итог этого закономерен: сравнительно слабая распространенность и более высокая цена, чем у других флэш-карт аналогичного объема.

За все время существования Memory Stick Sony выпустила целых семь модификаций. Причем, в отличие от MMC, все они в ходу. В итоге возникает закономерная путаница, а заодно производители карт-ридеров могут повысить число распознаваемых стандартов ихними продуктами.

Началось все с просто Memory Stick. Это вытянутая карта памяти размером 50х21.5х2.8 мм. Своей формой она чем-то напоминает пластинку жевательной резинки. Отличалась она, как мы писали выше, поддержкой DRM, которая так и не потребовалась. Емкость варьировалась от 4 до 128 Мбайт.

Со временем этого стало недостаточно, а поскольку обновленного стандарта еще не разработали, был анонсирован формат Memory Stick Select. Это обычная карточка Memory Stick, но внутри нее располагалось два чипа памяти по 128 Мбайт каждый. И между ними можно было переключаться при помощи специального переключателя на самой карте. Не очень удобное решение. Поэтому оно и было временным и промежуточным.

С малой емкостью удалось справиться выпустив в 2003 году Memory Stick PRO. Теоретически такая карта памяти может хранить до 32 Гбайт данных, но на практике более 4 Гбайт их не делали. Само собой большинство старых устройств не распознает PRO-версию, но зато новые запросто узнают Memory Stick первого поколения. Еще большую сумятицу вносит подвариант стандарта High Speed Memory Stick PRO. Такими были все Memory Stick PRO емкостью от 1 Гбайта. Понятно, что они могли работать в специальном высокоскоростном режиме. И очень радует, что все они обратно совместимы и с более старыми девайсами, только что скорость падала до обычной.

Со временем стало ясно, что потребуется идти по пути уменьшения карточек, а то "пластинки" Memory Stick далеко не везде удобно использовать. Так появились Memory Stick Duo размером 31х20х1.6 мм - чуть меньше Secure Digital. Но вот незадача, эти карты имели в своей основе первую версию стандарта Memory Stick, а вместе с ним и ограничение на максимальный объем. 128 Мбайт для 2002 года как-то уже совсем не солидно. Так и появился Memory Stick PRO Duo в 2003 году. И именно этот стандарт сегодня развивается более всего - уже существуют карты на 16 Гбайт, на подходе 32 Гбайт варианты, ну а теоретический предел по уверениям Sony составляет 2 Тбайта.

В декабре 2006 года Sony, совместно с SanDisk, анонсировала новую модификацию своих карт флэш-памяти - Memory Stick PRO-HG Duo. Его главное отличие от других вариантов - более высокая скорость работы. В дополнение к 4-битному интерфейсу обмена данными был добавлен 8-битный. Да и поднялась частота контроллера с 40 до 60 МГц. В итоге теоретический скоростной предел увеличился до 480 Мбит/с или 60 Мбайт/с.

Ну и следуя последнему писку моды в феврале 2006 года появился формат карточек Memory Stick Micro (или его еще называют M2), с габаритами 15х12.5х1.2 мм - это чуть больше microSD. Их емкость варьируется от 128 до 16 Гбайт, а теоретически может быть 32 Гбайта. Через переходник карта памяти M2 может быть вставлена в слот для Memory Stick PRO, но если ее объем более 4 Гбайт, то могут возникнуть определенные проблемы с распознанием.

Вот такая вот загогулина. Если разобраться, то в принципе и не сложно: Memory Stick – оригинальный формат не самых компактных размеров, Memory Stick PRO – вариант с большей емкостью и скоростью работы, Memory Stick (PRO) Duo - уменьшенная версия карточек, Memory Stick PRO-HG Duo – ускоренный вариант Memory Stick PRO Duo, Memory Stick Micro (M2) – самые маленькие Memory Stick. Теперь можно перейти к самому последнему стандарту - xD.

xD-Picture Card

Компании Olympus и Fujifilm посчитали, что существовавшие в первые годы этого века форматы флэш-карт не соответствуют ихним представлениям об идеальном хранилище данных для фотоаппаратов. Иначе чем объяснить разработку собственного стандарта xD-Picture Card?

Из названия формата следует, что он создан для хранения изображений. Но Olympus выпускает на его основе цифровые диктофоны, а Fujitsu - MP3-плееры. Впрочем, последних устройств куда меньше, чем фотоаппаратов с поддержкой xD. Однако если сравнить суммарный объем продаж цифровых камер Fujitsu и Olympus, то они никак не превзойдут показатели лидеров рынка - Canon и Nikon. А лидеры преспокойно используют CompactFlash в зеркальных камерах среднего и высшего уровней, а в остальных отлично прижился стандарт Secure Digital. Ну а раз распространение у карточек xD не очень большое, то в своем развитии они отстают от наиболее популярных форматов, а к тому же стоят дороже их. Примерно в 2-3 раза, если брать карты одной емкости.

Очевидно, что главная ориентация разработчиков формата xD (кстати, выпуском карт на его основе занимаются Toshiba и Samsung) заключалась в уменьшении размера карты памяти. Ее габариты следующие - 20х25х1.78 мм. Примерно как две Memory Stick Micro.

Емкость самой первой версии карт xD варьируется от 16 до 512 Мбайт. Представлены они были в июле 2002 года. Однако в феврале 2005 года появилось первое обновление, позволившее довести максимальный объем до 8 Гбайт. Новый стандарт назывался xD Type M. Увеличить объем удалось за счет применения MLC-памяти, которая в то же время оказалась более медленной. xD-карты Type M достигли объема 2 Гбайт. И пока что этот предел не преодолен ни Type M, ни более новыми стандартами.

Чтобы решить проблему скорости в ноябре 2005 года представили xD Type H. Этот формат был основан на памяти SLC, раз его выпуск решили прекратить в 2008 году из-за высокой себестоимости. Зато ему на смену в апреле 2008 года был выпущен Type M+. Карты этого формата примерно в 1.5 раза быстрее Type M.

Обратная совместимость различных версий форматов xD верна только для самых новых устройств - они запросто распознают более старые версии карточек. А вот старые устройства не обязательно узнают новые карты. Тут примерно такая же ситуация, как и у других стандартов.

Что касается скорости, то, как и в плане объема, xD совсем не блещет. Сегодня средняя скорость чтения Type M+ составляет 6.00 Мбайт/с (40х), а записи - 3.75 Мбайт/с (25х).

Итого формат xD-Picture Card в рознице более дорог, чем SD и CF. Карты памяти достаточно компактны, но их емкость уже не соответствует современным требованиям. Тоже самое касается и скорости работы. Для съемки видео с разрешением 640х480 при 30 кадров в секунду Type M+ еще достаточно. Но вот для сегодняшних зеркальных камер, снимающих кадры разрешением 12-24 МП и видео в формате 720p и 1080p этого явно мало. Тут совсем неплохо иметь карточку на 200-300х. Так что особого смысла в продолжении поддержки и развитии xD мы не видим. Не удивимся также, если вдруг его решат прикрыть, а следующее поколение камер переведут на SD и/или CF.

Аббревиатура SSD стала появляться в лентах новостей и названиях статей относительно недавно - пару лет назад. Причина этого в том, что массовой эта технология начала становиться только когда для хранения данных все чаще стала использоваться флэш-память, а упомянутые заголовки (и текст) новостей твердили о скором бурном росте этого рынка, попутно обещая вытеснение HDD. По крайней мере из сегмента ноутбуков и нетбуков.

Но самое интересное, что SSD не обязательно есть накопитель на основе флэш-памяти. SSD или Solid State Drive означает твердотельный накопитель. То есть тут важен скорее принцип, чем тип - для хранения данных используется "твердая" память. Память, которая не вращается, не вертится и не прыгает. Так что SSD вовсе не пару лет, а формально лет пятьдесят. Называлась тогда эта технология иначе, но опять же - тут важен принцип. А принцип сохранился.

Сегодня же актуальны два типа SSD: на основе энергозависимой памяти и на основе энергонезависимой. Первые - это те, что используют в своей основе SRAM или DRAM память. Еще их называют RAM-drive. Периодически такие SSD анонсируются производителями как сверхбыстрые носители данных. Некоторые из них даже позволяют самостоятельно наращивать объем, когда на плате банально установлены разъемы для обычных модулей памяти (DDR, DDR2 или DDR3 в самом современном варианте).

Ну а энергонезависимая память - это конечно же флэш. Создавать SSD на ее основе могли уже давно, но объемы такие накопителей были далеки от возможностей жестких дисков, а себестоимость значительно выше. Да и скорость не блистала. Но сегодня эти недостатки постепенно устраняются.

Первое поколение SSD имело емкость от 16 до 64 Гбайт, а стоили такие "флэшки" сотни и тысячи долларов. Это было примерно два года назад. Сегодня доступны варианты на 64-512 Гбайт при цене $200-1500. До винчестеров далеко, но уже куда лучше. За и на подходе SSD на 1 Тбайт в формате 2.5-дюймового жесткого диска. Напомним, что мобильные HDD пока не превысили объема 500 Гбайт. А настольные только-только добрались до отметки 2 Тбайта. Так что SSD идет вперед прямо-таки семимильными шагами.

Что касается скорости работы, то она также постоянно растет. Первое поколение SSD несколько отставало от мобильных жестких дисков, но современные накопители уже превзошли его. Достаточно вспомнить представленный в прошлом году SSD Intel X25-M, который имеет скорость чтения 250 Мбайт/с, а записи - 70 Мбайт/с. И стоит он не как полет на МКС - порядка $350 при объеме 80 Гбайт.

Конечно, существуют особо скоростные модели от Fusion-IO со скоростью чтения/записи 800/694 Мбайт/с или PhotoFast G-Monster PCIe SSD с 1000/1000 Мбайт/с, но оцениваются они в сумму как небольшой реактивный самолет. Ну и конечно же для обмена данными они используют не SerialATA, а обычный PCI Express x8 - этот стандарт пока еще способен обеспечить требуемую пропускную способность. Кстати, PCI Express x1 активно применяется для подключения SSD в нетбуках. Именно в таком формате выполнены их хранилища данных - в виде небольшой платы PCI-E x1.

Столь высокие скоростные показатели для SSD-накопителей были достигнуты благодаря параллельному считыванию данных сразу с нескольких чипов. К примеру упомянутый выше Intel X25-M работает по принципу RAID-массива уровня 0. То есть один бит пишется на первый чип, второй на второй и так далее. Организовать подобный механизм для обычной USB-флэшки или карты памяти крайне сложно, поскольку в них практически всегда устанавливается только один чип флэш-памяти.

Для увеличения емкости и снижения стоимости в SSD довольно часто используют MLC-память (в том числе и в X25-M). Более дорогие модели оснащаются SLC-чипами. Но если на USB-флэшку или какую-нибудь SD-карточку вы записываете данные сравнительно редко, то на SSD запись ведется непрерывно во время работы. Причем в большинстве случаев вы этого даже не знаете. Современные программы постоянно ведут различные логи; операционная система перемещает в своп-файл малоиспользуемые данные, высвобождая таким образом ОЗУ; даже элементарный доступ к файлу требует записи времени доступа.

Так что по-любому в SSD приходится устанавливать более долговечные чипы. Еще приходится беспокоиться об алгоритмах вычисления уровня износа и перераспределения данных - они должны быть более совершенными, чем у обычных флэшек. SSD-накопители даже имеют дополнительный чип энергозависимой кэш-памяти, как обычный жесткий диск. В кэше находятся данные об адресах блоков и данные об уровне износа. При выключении последние сохраняются на флэш-память.

В любом случае пока что технология SSD-накопителей на основе флэша продолжает бурно развиваться. Она предлагает несколько неоспоримых преимуществ перед HDD:

значительно меньшее время доступа к данным;
постоянная скорость чтения данных;
нулевой уровень шума;
меньшее энергопотребление.

На текущий момент остается довести число циклов перезаписи до такого количества, чтобы об этом можно было совсем не беспокоится. Емкость будет расти и без того. Не исключено, что в ближайшие 2-3 года она догонит и даже обгонит жесткие диски. Ну а цена падает сама собой, если технология перспективна, активно продвигается и уровень продаж постоянно растет. Не знаем, сможет ли SSD вытеснить HDD на рынке настольных компьютеров, но на мобильные они уже замахиваются.

Будущее

Собственно мы подошли к концу. Вывод из вышесказанного можно сделать следующий: флэш-память в будущем будет все больше распространяться и совершенствоваться. Пока не ясно, сможет ли она заменить жесткие диски, но задатки к этому у нее имеются. Но тут есть еще одна загвоздка - файловая система.

Современные файловые системы оптимизированы для использования вместе с жесткими дисками. А ведь HDD - это вовсе не SSD по своей структуре. Прежде всего доступ к данным на винчестере осуществляется при помощи LBA-адресации. Блок такого адреса позволяет вычислить на какой пластине, на какой дорожке и в каком секторе расположена запрашиваемая информация. Но вот незадача - у флэш нет пластин, дорожек и секторов. Но есть блоки, поделенные на страницы. Сегодня эта проблема решается трансляцией адресов из одного формата в другой, но куда удобнее было бы, если б все это происходило напрямую.

Еще одна особенность флэш-памяти - запись может осуществляться только в предварительно очищенные блоки. А эта операция занимает определенное время. Вот и неплохо бы очищать неиспользуемые совсем блоки во время простоя.

Современные дисковые файловые системы оптимизированы для минимизации времени доступа к данным - они стараются, чтобы их поиск происходил максимально быстро по диску. Но для флэш-памяти это просто неактуально - доступ ко всем блокам осуществляется одинаково быстро. Ну и не помешает поддержка вычисления уровня износа флэш-чипов со стороны файловой системы.

Так что дело ближайшего будущего - это выпуск новых файловых систем, оптимизированных для работы с флэш-памятью. Такие впрочем уже существуют, но современные ОС плохо их поддерживают. Примечательно, что одной из первых стала FFS2 от Microsoft, которую та выпустила еще в начале 90-х годов.

ОС Linux не отстает от прогресса. Для нее были созданы файловые системы JFFS, JFFS2, YAFFS, LogFS, UBIFS. Отличилась и Sun, разработав ZFS, которая недавно . Она оптимизирована не только для жестких дисков, но и для флэш-накопителей. Причем как для использования их в качестве основного хранилища, так и как кэша.

Тем не менее, сегодня самой популярной файловой системой для флэшек (не считая SSD) остается FAT и FAT32. Это просто удобнее всего. Они поддерживаются всеми операционными системами, не требуют драйверов. Но и их уже недостаточно для работы. К примеру ограничение на максимальный размер файла (4 Гбайта) уже становится неприемлемым.

Впрочем, у Microsoft есть замена - exFAT, ранее известная как FAT64. Как мы уже писали, она выбрана в качестве основной ФС для карт SDXC. Помимо оптимизации под флэш-память она поддерживает файлы размером до 16 экзабайт (16.7 миллионов терабайт), а в одну папку можно записать более 65536 файлов.

Поддерживается exFAT сегодня операционными системами Windows Mobile версии 6.0 и выше, Windows XP SP2 и выше, Windows Vista SP1, Windows Server 2008 и Windows 7 со сборки 6801. Заметим, что в Windows Vista флэш-накопитель на основе exFAT не способен использоваться как кэш в функции ReadyBoost. Соответствующая поддержка появится в Windows 7. Ну а что касается других ОС, то для Linux доступен бесплатный модуль ядра, позволяющий использовать exFAT только для чтения.

Так что наиболее перспективной ОС для флэш-приводов сегодня выглядит ZFS и exFAT. Но обе распространены весьма слабо, хотя у последней есть больше шансов стать популярной. Ее уже выбрали в качестве основной для карт SD последнего поколения и все наиболее популярные версии Windows ее "знают".

В остальном будем ждать дальнейшего наращивания емкости флэшек и снижения их стоимости. Технология эта очень хороша, поэтому мы желаем ей только успеха.

Возможно, многие обращали внимание при просмотре характеристик своего накопителя, что его емкость недотягивает до указанной производителем. Это касается не только емкости флешек, а всех цифровых носителей: жестких дисков и других в которых емкость измеряется Мегабайтами, Гигабайта и в последних устройствах Терабайтами.

В чем же здесь дело и не скрывается ли в этом обман? Так сложилось, что производители накопителей, в общем, то как и производители другой продукции хотят продать «конфетку» с красивой надписью (емкость) за меньшие деньги. Что бы победить в конкурентной борьбе. Но емкость которая указана на накопителе правдивая, но с одной стороны.

Так почему же у флешки емкостью 2 Гб реально только 1,86 Гб, а у 4 Гб только 3,72 Гб.

Ответ на этот вопрос следует из основ компьютерной техники, а именно: 1 килобайт содержит 1024 байта и так далее с мегабайтами, гигабайтами…

реальная емкость (http://www.ixbt.com/storage/flashdrives/svodka/size.shtml) незначительно отличается.

В итоге сделав простой расчет: 4 000 000 0000/1024/1024/1024 = 3,72; мы получаем цифру 3,72 Гб.

Для накопителей большей емкости абсолютное отклонение будет больше. Например, для жесткого диска емкость 1 Терабайт реальная емкость составит 931 Гб.

Кроме того полезная емкость накопителя зависит от выбранной файловой системы: FAT16, FAT32, NTFS. Носитель, отформатированный в разных системах будет иметь разную полезную емкость. Это связано с тем, что при форматировании диска на него записывается системная информация о нем и она, для разных ФС разная.

Ну и последнее. Есть такой феномен как китайская флешка: это когда в системный раздел флешки небольшой емкости умышленно вносится информация о том, что ее емкость большая. Например, из 1 Гб можно сделать 32 Гб. На практике если эту флешку вставить в компьютер он покажет, что ее емкость 32 Гб. Когда пользователь запишет на нее данные в объеме большем ее реального, копирование завершится без ошибок. Но вот прочитать с такого носителя данные удастся в количестве соизмеримом с реальным объемом т.е. не более 1 Гб для нашего примера.

Флэш-память относится к классу EEPROM, но использует особую технологию построения запоминающих ячеек. Стирание во флэш-памяти производится сразу для целой области ячеек (блоками или полностью всей микросхемы). Это позволило существенно повысить производительность в режиме записи (программирования). Флэш-память обладает сочетанием высокой плотности упаковки (ее ячейки на 30% меньше ячеек DRAM), энергонезависимого хранения, электрического стирания и записи, низкого потребления, высокой надежности и невысокой стоимости…Это репрограммируемые ЗУ.

Подобно ОЗУ, флэш-память модифицируется электрически внутрисистемно , но подобно ПЗУ, флэш энергонезависима и хранит данные даже после отключения питания. Однако, в отличие от ОЗУ, флэш нельзя переписывать побайтно . Флэш-память читается и записывается байт за байтом и предъявляет новое требование: ее нужно стереть перед тем, как записывать новые данные .

Флэш-память — это полупроводниковая память, причем особого типа . Ее элементарная ячейка , в которой хранится один бит информации, представляет собой не конденсатор, а полевой транзистор со специальной электрически изолированной областью, которую называют "плавающим затвором". Электрический заряд, помещенный в эту область, способен сохраняться в течение многих лет. При записи одного бита данных ячейка заряжается — заряд помещается на плавающий затвор, при стирании — заряд снимается с плавающего затвора и ячейка разряжается.

Выделяют среди таких устройств схемы со специализированными блоками (несимметричные блочные структуры). По имени так называемых Boot блоков в которых информация надежно защищена от случайного стирания, ЗУ называются Boot Block Flash Memory .

Флэш-память типа Boot Block служит для хранения обновляемых программ и данных в самых разных системах, включая сотовые телефоны, модемы, BIOS, системы управления автомобильными двигателями и многое другое. Используя флэш-память вместо EEPROM для хранения параметрических данных, разработчики добиваются снижения стоимости и повышения надежности своих систем.

Преимущества флэш-памяти по сравнению с EEPROM:
1.

Более высокая скорость записи при последовательном доступе за счёт того, что стирание информации во флэш производится блоками.
2. Себестоимость производства флэш-памяти ниже за счёт более простой организации.
Недостаток: Медленная запись в произвольные участки памяти.

Память с последовательным доступом Используются, где данные могут быть выстроены в очередь.

Флэш-память с адресным доступом . Хранение редко изменяемых данных. Запись и стирание осуществляет процессор выч устр-ва в обычном рабочем режиме. Для этого Флэш-память имеет дополнительное управление словами-командами, записываемыми процессором в специальный регистр микросхемы. При подаче специального напряжения программирования схема обеспечивает запись и стирание информации. Перед программированием процессор считывает из микросхемы код — идентификатор, содержащий код фирмы-изготовителя и микросхемы для согласования алгоритмов стирания и записи, автоматически.

Стираются все байты памяти или выбранного блока, после чего все они проверяются, выполняется повторное стирание и проверка.

Программирование памяти ведется байт за байтом, записанная информация проверяется. Процессор считывает из ЗУ записанный байт и сравнивает его с исходным.

Один из блоков предназначен для хранения ПО BIOS и аппаратно защищен от случайного стирания.

Принцип работы и устройство флеш-памяти

В ЗУ есть также блоки параметров и главные блоки, не защищенные от случайного стирания. Главные блоки хранят основные управляющие программы, а блоки параметров — относительно часто меняемые параметры системы.

Файловая Флэш-память применяется для замены твердых дисков. Сокращает потребляемую мощность, повышает надежность ЗУ, уменьшает их размеры и вес, повышает быстродействие при чтении данных. Программа может читаться процессором непосредственно из файловой Флэш-памяти, туда же записываются и результаты.

На основе файловой Флэш-памяти создаются компактные съемные внешние ЗУ.

ЗЭ – МНОП.

2 пороговых напр-ия. Uпор1 – имеет маленькую величину, 1-2 В. При подаче Uпор инициируется канал м/д стоком-истоком. Если м/д нитридом и двуокисью кремния есть заряды, то Uпор увеличилось до 7В.

Запись (программирование) флеш-памяти – процесс замены 1 на 0. Стирание – замена 0 на 1.

3.Архитектура РС. Процессоры ЭВМ. Структура процессоров и их основные характеристики. Системные шины и их характеристики. Локальные шины. Чипсеты.
Архитектура – это многоуровневая иерархия аппаратно-программных средств, каждый из уровней допускает многовариантное построение и применение.

Структура – это совокупность элементов и их связей.

ЭВМ – это комплекс технических и программных средств, предназначенный для автоматизации подготовки и решения задач пользователей.

Архитектура ЭВМ — это общее описание структуры и функций ЭВМ на уровне, достаточном для понимания принципов работы и системы команд ЭВМ, не включающее деталей технического и физического устройства компьютера.

К архитектуре относятся следующие принципы построения ЭВМ:

1. структура памяти ЭВМ;
2. способы доступа к памяти и внешним устройствам;
3. возможность изменения конфигурации;
4. система команд;
5. форматы данных;
6. организация интерфейса.

Архитектура современных персональных компьютеров основана на магистрально-модульном принципе . Информационная связь между устройствами компьютера осуществляется через системную шину (другое название — системная магистраль).

Шина — это кабель, состоящий из множества проводников. По одной группе проводников — шине данных передаётся обрабатываемая информация, по другой — шине адреса — адреса памяти или внешних устройств, к которым обращается процессор. Третья часть магистрали — шина управления , по ней передаются управляющие сигналы (например, сигнал готовности устройства к работе, сигнал к началу работы устройства и др).

Системная шина характеризуется тактовой частотой и разрядностью. Количество одновременно передаваемых по шине бит называется разрядностью шины . Тактовая частота характеризует число элементарных операций по передаче данных в 1 секунду. Разрядность шины измеряется в битах, тактовая частота – в мегагерцах.
Системные шины

Передача информации между МП и остальными элементами. Осуществляется также адресация устройств и обмен специальными служебными сигналами. Передачей информации по шине управляет одно из подключенных к ней устройств или специально выделенный для этого узел, называемый арбитром шины.

Шина ISA (Industry Standard Architecture) есть 36-контактный разъем для плат расширения. За счет этого количество адресных линий – 4, а данных – 8. Можно передавать параллельно 16 разрядов данных, а благодаря 24 адресным линиям напрямую обращаться к 16 МБ сист памяти. Кол-во линий аппаратных прерываний — 15.

Шина EISA (Extended ISA). обеспечивает наибольший возможный объем адресуемой памяти, 32-разрядную передачу данных, улучшенную систему прерываний, автоматическую конфигурацию системы и плат расширения. В EISA-разъем на системной плате компьютера совместим с ISA. Шина EISA позволяет адресовать 4Гб адресного прост-ва. Теор максимальная скорость 33 Мбайт/с. Шина тактируется частотой около 8-10 МГц.

Локальные шины предназначены для увеличения быстродействия компа, позволяя периферийным устройствам (видеоадаптеры, контроллеры накопителей) работать с тактовой частотой до 33 МГц и выще. Используется разъем типа MCA.

Шины PCI . Между локальной шиной процессора и самой PCI находится специальная согласующая м\схема

В соответствии со спецификацией PCI к шине могут подключаться до 10 устройств. Шина PCI работает на фиксированной тактовой частоте 33 МГц и предусматривает напряжение питания для контроллеров как 5, так и 3,3 В, режим plug and play.

Шина PCI-X – высокопроизводительная PCI. является синхронной, т.е. все данные обрабатываются одновременно при поступлении управляющего сигнала. Разрядность шины 32-бита. При частоте 33 МГц теоретическая пропускная способность 132 МБ/с.

Всякая информация, передаваемая от процессора к другим устройствам по шине данных, сопровождаетсяадресом , передаваемым по адресной шине. Это может быть адрес ячейки памяти или адрес периферийного устройства. Необходимо, чтобы разрядность шины позволила передать адрес ячейки памяти. Таким образом, словами разрядность шины ограничивает объем оперативной памяти ЭВМ, он не может быть больше чем , где n – разрядность шины.

схема устройства компьютера, построенного по магистральному принципу

Чипсет — от англ. "chip set" — набор микросхем, спроектированных для совместной работы с целью выполнения набора каких-либо функций. Так, в компьютерах чипсет выполняет роль связующего компонента, обеспечивающего совместное функционирование подсистем памяти, ЦПУ, ввода-вывода и других. Чипсеты встречаются и в других устройствах, например, в радиоблоках сотовых телефонов.

Чипсет материнских плат компьютеров состоит из двух основных микросхем (иногда они объединяются в один чип):

MCH - контроллер-концентратор памяти (Memory Controller Hub) - северный мост (northbridge) - обеспечивает взаимодействие центрального процессора (ЦП) с памятью и видеоадаптером. В новых чипсетах часто имеется интегрированная видеоподсистема.
Контроллер памяти может быть интегрирован в процессор (например Opteron, Nehalem, UltraSPARC T1).
ICH - контроллер-концентратор ввода-вывода (I/O Controller Hub) - южный мост (southbridge) - обеспечивает взаимодействие между ЦП и жестким диском, картами PCI, интерфейсами IDE, SATA, USB и пр.

Также иногда к чипсетам относят микросхему Super I/O, которая подключается к южному мосту и отвечает за низкоскоростные порты RS232, LPT, PS/2.

В настоящее время основными производителями чипсетов для настольных компьютеров являются фирмы Intel, nVidia, AMD (которая приобрела фирму ATI и в настоящее время выпускает чипсеты под своим именем), VIA и SIS .

Фирма Intel выпускает чипсеты только для собственных процессоров. Для процессоров фирмы AMD наиболее распространенными являются чипсеты nVidia (выпускаемые как правило под торговой маркой nForce ) и AMD.

Чипсеты фирм VIA и SIS популярны в основном в секторе low end, а также в офисных системах, хотя встроенная графика у них по 3D возможностям значительно уступает nVidia и AMD.

⇐ Предыдущая12345678910Следующая ⇒

Дата публикования: 2015-10-09; Прочитано: 262 | Нарушение авторского права страницы

Studopedia.org — Студопедия.Орг — 2014-2018 год.(0.004 с)…

Сравнение производительности различных типов серверных накопителей (HDD, SSD, SATA DOM, eUSB)

В этой статье мы рассмотрим современные модели серверных накопителей с точки зрения производительности и оптимальных областей применения.

На данный момент в серверах в основном используются устройства хранения данных двух типов — жесткие магнитные диски (HDD, hard disk drive) и твердотельные накопители (SSD, solid-state drive). Кроме того, используются также и такие устройства, как eUSB Flash Module и SATA DOM. Рассмотрим все эти типы более подробно.

Современные жесткие магнитные диски могут использовать один из двух интерфейсов — SATA (Serial Advanced Technology Attachment) и SAS (Serial Attached SCSI). Текущая версия интерфейса SATA обеспечивает пропускную способность 6 Гбит/с. Диски с этим интерфейсом преимущественно используются в сегменте настольных персональных компьютеров, но могут применяться и в серверах. В серверном сегменте такие диски имеют скорость вращения шпинделя 7’200 об/мин. В нашем тестировании из дисков этого типа будут принимать участие модели Seagate Constellation.2 ST91000640NS (SATA 7’200, 2.5″) и Seagate Constellation ES ST1000NM0011 (SATA 7’200, 3.5″).

Более надежный и производительный дисковый SAS-интерфейс предназначен для серверных решений и рабочих станций. Он также имеет пропускную способность до 6 Гбит/с, но уже в режиме полного дуплекса (Full Duplex), что означает возможность одновременной передачи данных в обеих направлениях со скоростью 6 Гбит/c. Диски с этим интерфейсом имеют больший показатель MTBF (Mean Time Between Failures, среднее время наработки на отказ). Более того, интерфейс SAS, в отличие от SATA, использует другой набор команд с поддержкой большей глубины очереди запросов (64 против 32, чем больше глубина очереди, тем лучше оптимизация очередности выполнения запросов) и двухпортовое подключение для возможного обеспечения отказоустойчивости. Важной особенностью SAS является более адаптированное подключение дисков с интерфейсом SAS к различным бэкплэйнам, корзинам, экспандерам, RAID и HBA контроллерам, системам хранения данных и другим устройствам как по внутренним, так и по внешним портам. В настоящее время в серверах применяются SAS-диски со скоростью вращения шпинделя 7’200, 10’000 и 15’000 об/мин.

Скорость 7’200 об/мин. поначалу была нетипична для серверного сегмента, однако производители жестких дисков в какой-то момент решили выпускать диски со скоростью вращения 7’200 об/мин не только с интерфейсом SATA, но и с интерфейсом SAS. В своей «механической» части эти диски совершенно одинаковы, они отличаются только способом подключения. Этот шаг повысил ценовую доступность SAS-дисков и предоставил серверному сегменту диски SAS большего объема. Основная область применения таких дисков — малобюджетные рабочие станции и сервера начального уровня. Тестируемые диски этого типа — Seagate Constellation.2 ST91000640NS (SAS 7’200, 2.5″) и Seagate Constellation ES.3 ST1000NM0023 (SAS 7’200, 3.5″).

SAS-диски со скоростью вращения шпинделя 10’000 об/мин — хорошее решение для мощных рабочих станций и недорогих серверных решений корпоративного класса. Тестируемый диск — Seagate Savvio 10K5 ST9900805SS (SAS 10000 2.5″).

SAS-диски со скоростью вращения шпинделя 15.000 об/мин — лучший выбор для серверов корпоративного сектора, центров обработки данных (ЦОД) и систем хранения данных (СХД). Тестируемый диск — Seagate Cheetah 15K7 ST3300657SS (SAS 15000 3.5″).

Производительность вышеперечисленных дисков на операциях последовательного и случайного чтения/записи приведена на следующей диаграмме.

При одинаковых скорости вращения шпинделя и физическом размере пластин диски SAS быстрее дисков SATA, что объясняется большей линейной плотностью данных у дисков SAS по сравнению с дисками SATA.

С другой стороны, диск SAS 7’200, 3.5” и SAS 10’000, 2.5” показывают практически одинаковые результаты. Это объясняется тем, что преимущество в скорости вращения компенсируется меньшим физическим размером пластин диска 2.5”, в результате чего при одинаковой линейной плотности данных линейная скорость головок относительно пластин примерно одинакова.

В тесте на случайное чтение, который измеряет количество операций ввода/вывода в секунду (IOPS), результаты дисков 2.5” 7’200 об/мин лучше, чем у дисков форм-фактора 3.5” той же скорости, поскольку у «маленьких» дисков время перемещения головки к нужному сектору меньше. Диски SAS здесь показывают опять более высокий результат по сравнению с дисками SATA, теперь уже за счет лучшей оптимизации очередности выполнения случайных запросов благодаря поддержке большей глубины очереди (64 у SAS против 32 у SATA). Преимущество дисков SAS 10’000 и 15’000 об/мин обеспечивается не только высокой скоростью вращения шпинделя, но и тем, что они имеют более совершенный механизм позиционирования головок с меньшим временем доступа.

На операциях случайной записи SAS диски имеют такое же преимущество перед дисками SATA, как и на операциях чтения.

Твердотельные накопители, использующие энергонезависимую память NAND-Flash, обладают в сотни раз большей скоростью чтения и записи на случайных операциях, чем жесткие диски, поскольку в твердотельных накопителях не нужно перемещать магнитную головку. Кроме того, у SSD меньше энергопотребление и отсутствует шум при работе. Но у них есть и недостатки, а именно: высокая стоимость и сравнительно с HDD относительно маленький объем. В сегменте настольных ПК такие накопители используются совместно с HDD по схеме, когда на SSD устанавливаются операционная система и самые необходимые программы, а на HDD хранятся все остальные данные. Такой подход заметно повышает скорость работы компьютера, не сильно увеличивая его стоимость. Для тестирования мы выбрали накопитель Intel 520 Series 240GB. Данный накопитель рекомендован для использования в настольных компьютерах, ноутбуках и рабочих станциях.

В серверном сегменте ситуация с SSD значительно отличается. Размещать значительные по объему массивы данных на SSD довольно дорого. Зато их с успехом можно использовать для кэширования, когда SSD-кэш используется для размещения «горячих» данных, то есть данных, обращение к которым происходит наиболее часто. Это даёт огромный прирост в производительности дисковой подсистемы сервера, особенно на операциях случайного доступа. Тестируемый серверный SSD-накопитель — Intel DC S3700 100GB.

При последовательном чтении десктопный и серверный накопители показывают почти одинаковые результаты, а вот при последовательной записи серверный тип SSD заметно проигрывает. Это связано с тем, что в серверном накопителе используется память, которая допускает на порядок большее число циклов перезаписи, однако сами операции записи выполняются медленнее.

На операциях случайной записи отставание тоже значительно, но это вызвано необходимостью обеспечения гораздо большего ресурса на запись для серверных накопителей.

Накопители eUSB, как и SSD-накопители, тоже используют для хранения данных Flash-модули, но они устанавливаются непосредственно в USB-разъем на серверной системной плате. Такие накопители имеют ряд функциональных и других ограничений, обусловленных как раз использованием в качестве интерфейса порта USB. C такого накопителя не работает загрузка полноценной версии ОС Windows, а скорость интерфейса (480 Мбит/с) значительно ниже, чем у SATA (6 Гбит/с). Наиболее оптимальной областью их применения в серверах является использование в качестве загрузчика операционной системы небольшого размера, например, гипервизора VMware ESXi.

В тонких клиентах такие накопители используются для хранения образа операционной системы Windows Embedded. Тестируемый накопитель — eUSB Transcend 4GB.

Накопители SATA DOM более функциональны, чем eUSB-накопители. Подключаются они так же, как и SSD-накопители, к разъему SATA, но при этом «выглядят» более похожими ни USB-накопитель, нежели на жесткий диск.

Устройство и принцип работы флеш-накопителя

Устанавливаются они непосредственно в разъемы SATA на материнской плате компьютера или сервера. Удобно, когда такой разъем имеет встроенное питание, иначе его приходится обеспечивать через дополнительный кабель. Учитывая, что эти накопители подключаются к стандартным SATA разъёмам, BIOS материнской платы работает с ними как с обычными накопителями HDD или SSD, что делает возможным установку на SATA DOM полноценной загрузочной версии операционной системы Windows. В сервере это освобождает место в корзине дисковой подсистемы, позволяя использовать его для диска RAID-массива. К тому же накопитель SATA DOM находится внутри серверной платформы, что исключает случайное изъятие диска с установленной ОС. Применять такие накопители можно в десктопном и серверном сегментах, а также в тонких клиентах, устанавливая любую операционную систему или гипервизор для виртуализации. Тестируемый накопитель — SATA DOM Innodisk 8 GB.

Результаты тестирования накопителей eUSB-Flash и SATA DOM соответствуют производительности их интерфейсов. По спецификации USB 2.0 регламентирована скорость 25 — 480 Мбит/с, а для SATA 3.0 — 6’000 Мбит/с, что уже склоняет выбор в пользу устройств с интерфейсом SATA. На графике мы видим превосходство в 2,5 раза при операциях последовательного чтении и записи SATA DOM Innodisk над eUSB-Flash.

В тесте операций случайного чтения ситуация не меняется, SATA DOM также лидирует. Случайная запись у обоих накопителей одинаково на очень низком уровне, но для этих операций они и не предназначены.

Данные производительности лучших представителей каждого типа накопителей из нашего тестирования приведены на следующих диаграммах. Явным лидером себя показывает твердотельный накопитель от Intel.

Мы надеемся, что наша статья поможет определиться с выбором того или иного накопителя. А выбрать действительно есть из чего. Очень большое количество разнообразных накопителей предлагается производителями, но для достижения наилучших результатов нужно правильно планировать свои потребности и ожидания от подсистем хранения данных.

Измерения для HDD и SSD проводились на одном и том же контроллере Intel RS25DB080. Тестирование выполнялось при помощи программы IOmeter со следующими параметрами: кэш-память контроллера и дисков отключена, глубина очереди команд — 256, параметр Strip Size — 256KB, размер блока данных — 256KB для последовательных операций и 4KB для случайных операций. Скорость последовательных операций измерялась в MB/s, случайных — в IOPS (количество операций ввода/вывода в секунду).

Инженер отдела серверного оборудования Андрей Леонтьев
03.06.13

Тайваньская компания Mach Xtreme Technology, специализирующаяся на высокопроизводительных комплектующих для компьютеров и плотно занимающаяся производством твердотельных накопителей, начала розничные продажи перспективного решения для хранения данных, получившего наименование PCIe SSD MX-EXPRESS.

Флэш-память. Прошлое, настоящее и будущее

Новинка имеет низкопрофильное исполнение, характеризуется следующими габаритными размерами: 152.5 x 19 x 69 мм, весом — 125 грамм, подключается к компьютеру через слот PCI-Express 2.0 x2, использует пока не названный двойной контроллер и доступна в четырех вариантах исполнения с точки зрения объема: 128 Гб, 256 Гб, 512 Гб и 1 Тб.

Накопитель имеют поддержку сертификатов ROHS, CE и FCC, для установки в систему не требует каких-либо драйверов. Скорость передачи данных различается, в зависимости от ёмкости дисков. Так, для 512-Гб и 1-Тб решений скорость последовательного чтения составляет 850 Мб/с, а записи — 800 Мб/с, уровень производительности находится в районе 100 000 IOPS, а время доступа — 0.1 мс.

Диски серии MX-Express имеют огромный срок службы — 2.5 миллиона часов, могут работать при температуре окружающей среды от нуля до 70 градусов по Цельсию, поддерживают TRIM, DuraClass, DuraWrite, RAISE и Garbage Collector. Кроме того в комплекте с новинкой идёт низкопрофильная PCI заглушка.

128-Гб модель обойдется всем желающим по 309.90 евро, 256-Гб — 379.90 евро, 512-Гб — 669.90 евро и 1 Тб — 1449.90 евро. Гарантия качества производителя на устройства составляет 2 года.

Статьи по теме:

Как разблокировать телефон "Мегафона" для других операторов?

Как разблокировать от оператора ваш Мегафон Login 2 1. Вставляете сим-карту другого сотового оператора в телефон. 2. Включаете Мегафон Login 2 (Megafon Login 2 MS3A) . 3. Должно появится окно для ввода кода разблокировки . 4. Вводите код: 67587048 5. Теп

Asus ZenFone Max ZC550KL — Советы, рекомендации, часто задаваемые вопросы и полезные параметры

Как вставить SIM-карту на свой Asus ZenFone Max? Asus ZenFone Max — это смартфон с двумя SIM-картами и поддерживает соединение 2G / 3G / 4G. SIM-карта, поддерживаемая устройством, является Micro SIM-картой и может быть видна после снятия задней крышки тел

Что такое расширение файла CDR?

CDR-формат — это файл, который был создан в программе Corel DRAW, содержащей растровое или векторное изображение. Компания Corel использует этот формат в собственных продуктах, поэтому его можно открыть также другим программным обеспечением данной компани

Multisim 17 где находится библиотека элементов

Компоненты и библиотеки элементов Multisim 11 Контрольно-измерительные и индикаторные приборы В Multisim имеются измерительные приборы, каждый из которых можно использовать в схеме только один раз. Эти приборы расположены в библиотеке контрольно-из

2024-05-25 10:11:36	Универсальная последовательная шина USB В чем преимущества шины usb
2024-05-23 09:50:58	Календарь: как использовать онлайн-сервис для планирования личного времени
2024-05-23 09:50:58	HDD vs SSD в играх: сравнение времени загрузки и производительности
2024-05-22 09:41:16	WiFi SiStr – бесплатная утилита для отображения силы сигнала Wi-Fi сетей Программа для поиска точек доступа wifi
2024-05-21 10:17:55	Обзор Samsung Galaxy А5 (2016): удачное перерождение Какой экран на самсунг галакси а5
2024-05-20 10:07:51	Мобильный телефон Samsung Galaxy S2
2024-05-19 10:09:20	Как скопировать веб-страницу если там установлена защита от копирования
2024-05-19 10:09:20	Как правильно выполнить сброс настроек
2024-05-18 10:49:59	Подключение и запуск Telnet
2024-05-17 11:41:58	Что такое Проектор LED или светодиодный проектор?

2024-05-16 10:16:18	Как установить MiFlash и драйверы для смартфонов Xiaomi Сложные способы решения
2024-05-12 10:16:33	TrueCrypt шифрование важных файлов
2024-05-12 10:16:33	Какую форму имеет канал гранде
2024-05-11 10:40:41	Как заблокировать доступ к вконтакте
2024-05-11 10:40:41	Установка Kaspersky Internet Security Параметры и свойства установки программы
2024-05-10 11:12:07	Что такое фаервол (firewall)
2024-05-27 09:46:02	Как разблокировать телефон "Мегафона" для других операторов?
2024-05-27 09:46:02	Asus ZenFone Max ZC550KL — Советы, рекомендации, часто задаваемые вопросы и полезные параметры
2024-05-26 09:37:29	Что такое расширение файла CDR?
2024-05-25 10:11:36	Multisim 17 где находится библиотека элементов
2024-05-25 10:11:36	Универсальная последовательная шина USB В чем преимущества шины usb
2024-05-23 09:50:58	Календарь: как использовать онлайн-сервис для планирования личного времени